Модуль оперативной памяти DDR3 SO-DIMM VLP 2GB 1600MT/s Low-Profile (M3SW-2GSFUC0C-I)
Производитель: InnoDisk® Corp. (Тайвань)
Модель: 2556-03
Артикул: M3SW-2GSFUC0C-I
Наличие: Предзаказ
Модель: 2556-03
Артикул: M3SW-2GSFUC0C-I
Наличие: Предзаказ
Кол-во:
- или -
В закладки
В сравнение
В сравнение
Промышленный модуль оперативной памяти DDR3 SO-DIMM VLP 2GB 1600MT/s Low-Profile
- JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V) Power Supply
- JEDEC Standard 204-pin Dual In-Line Memory Module
- 8 bit pre-fetch
- On Die Termination with ODT pin
- Bi-directional Differential Data Strobe
- Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE ≤ 95°C
- Low profile of PCB
- Gold Finger 3μ"
- RoHS Compliant
| Память | |
| Тип | DDR3 |
| Стандарт | SO-DIMM VLP |
| Объем | 2GB |
| Частота | 1600MT/s |
| Конструктив | |
| Назначение | Low-Profile |
| IC Organization | 128Mx8 |
| IC Brand | Samsung |
| Ряд | 2 |
| Сторон | 2 |
| Примечание | Standard L/T:TBC |
Написать отзыв
Ваше имя:Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
Оценка: Плохо Хорошо
Введите код, указанный на картинке:
Описание
Промышленный модуль оперативной памяти DDR3 SO-DIMM VLP 2GB 1600MT/s Low-ProfileХарактеристики
| Память | |
| Тип | DDR3 |
| Стандарт | SO-DIMM VLP |
| Объем | 2GB |
| Частота | 1600MT/s |
| Конструктив | |
| Назначение | Low-Profile |
| IC Organization | 128Mx8 |
| IC Brand | Samsung |
| Ряд | 2 |
| Сторон | 2 |
| Примечание | Standard L/T:TBC |
Написать отзыв
Ваше имя:Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
Оценка: Плохо Хорошо
Введите код, указанный на картинке:
