Модуль оперативной памяти DDR4 U-DIMM VLP 16GB 2133MT/s Low-Profile (M4UR-AGS1WC0G-B)
Производитель: InnoDisk® Corp. (Тайвань)
Модель: 2668-03
Артикул: M4UR-AGS1WC0G-B
Наличие: Предзаказ
Модель: 2668-03
Артикул: M4UR-AGS1WC0G-B
Наличие: Предзаказ
Кол-во:
- или -
В закладки
В сравнение
В сравнение
Промышленный модуль оперативной памяти DDR4 U-DIMM VLP 16GB 2133MT/s Low-Profile
- JEDEC standard 1.2V(1.14V~1.26V)Power Supply
- JEDEC Standard 288-pin Dual In-Line Memory Module
- 8 bit pre-fetch
- On Die Termination with ODT pin
- Bi-directional Differential Data Strobe
- Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE ≤ 95°C
- Low profile of PCB
- Gold Finger 3μ"
- RoHS Compliant
| Память | |
| Тип | DDR4 |
| Стандарт | U-DIMM VLP |
| Объем | 16GB |
| Частота | 2133MT/s |
| Конструктив | |
| Назначение | Low-Profile |
| IC Organization | 1Gx8 |
| IC Brand | Samsung |
| Ряд | 2 |
| Сторон | 2 |
| Примечание | Standard |
Написать отзыв
Ваше имя:Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
Оценка: Плохо Хорошо
Введите код, указанный на картинке:
Описание
Промышленный модуль оперативной памяти DDR4 U-DIMM VLP 16GB 2133MT/s Low-ProfileХарактеристики
| Память | |
| Тип | DDR4 |
| Стандарт | U-DIMM VLP |
| Объем | 16GB |
| Частота | 2133MT/s |
| Конструктив | |
| Назначение | Low-Profile |
| IC Organization | 1Gx8 |
| IC Brand | Samsung |
| Ряд | 2 |
| Сторон | 2 |
| Примечание | Standard |
Написать отзыв
Ваше имя:Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
Оценка: Плохо Хорошо
Введите код, указанный на картинке:
Вы смотрели
